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2N5655G

配單專家企業名單

型號
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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N5655G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
OnSemiconductor
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

2N5655G
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
ON/安森美
TO-126
22+
-
十年配單，只做原裝

2N5655G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ON
標準封裝
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N5655G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現貨電話010-621049...

2N5655G
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
On Semiconductor
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

2N5655G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
TO-225
ON
17+
-
原裝正品。優勢供應

2N5655G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
原廠原裝
18+
-
原裝現貨，優勢供應

2N5655G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
1950
ON SEMICO
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5655G 技術參數

2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:1,000 2N5639G 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:1,000 2N5639_D75Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5639_D26Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771