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2N5770DZ

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2N5770DZ 技術參數
  • 2N5770_D75Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5770_D74Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5770_D27Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5770_D26Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5770 功能描述:TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:900MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 8mA,1V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5782 2N5783 2N5784 2N5785 2N5786 2N5793 2N5794 2N5794U 2N5795 2N5796 2N5796U 2N5822 2N5830 2N5830_D26Z 2N5838 2N5839 2N5840 2N5868
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