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2N5809

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制造商
NJSEMI
制造商全稱
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
TRIAC, V(DRM) = 600V TO 699.9V

2N5809 技術參數

2N5796U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5796 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5795 功能描述:TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N5794U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5794 功能描述:TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N5873 2N5874 2N5875 2N5876 2N5877 2N5878 2N5879 2N5880 2N5881 2N5882 2N5883 2N5883G 2N5884 2N5884G 2N5885 2N5885G 2N5886 2N5886G