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2N5855

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-105

2N5855 技術參數

2N5840 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5839 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5838 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5830_D26Z 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5830 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5879 2N5880 2N5881 2N5882 2N5883 2N5883G 2N5884 2N5884G 2N5885 2N5885G 2N5886 2N5886G 2N5912 2N5950 2N5950_J18Z 2N5950_J35Z 2N5951 2N5951_D27Z