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2N6027.

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2N6027.
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
8000
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2N6027. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N6027. 技術參數

2N6027 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件狀態:在售電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:6V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）標準包裝:2,500 2N5963 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1200 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5962_D74Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5962_D26Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5962 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N6028RLRMG 2N6028RLRP 2N6028RLRPG 2N6034 2N6034G 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043