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2N6028GE

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制造商
GE
功能描述
2N6028

2N6028GE 技術參數

2N6028G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）標準包裝:5,000 2N6028 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件狀態:在售電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:6V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）標準包裝:2,500 2N6027RLRAG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:1 2N6027RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:10 2N6027RL1G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:1 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052