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2N6052/B.

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2N6052/B. 技術(shù)參數(shù)

2N6052 功能描述:TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6051 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6049 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6048 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6045G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123 2N6191 2N6192