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2N6061

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N6061
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-211MB
23+
-
微芯專營優勢產品

2N6061
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MOTOROLA
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

2N6061
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MOTOROLA
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT PNP 100V 50A 3PIN TO-63 - Bulk

2N6061 技術參數

2N6059 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6058 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6055 功能描述:TRANS NPN 60V 8A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6052G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6052 功能描述:TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123 2N6191 2N6192 2N6193 2N6193U3 2N6212 2N6213