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2N60LL-B

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2N60LL-B 技術參數
  • 2N6099 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:5MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6076_D75Z 功能描述:TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6076_D27Z 功能描述:TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6076_D26Z 功能描述:TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6076 功能描述:TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6193 2N6193U3 2N6212 2N6213 2N6227 2N6228 2N6229 2N6230 2N6231 2N6233 2N6234 2N6235 2N6249 2N6249T1 2N6250 2N6251 2N6251T1 2N6274
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