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2N6170

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制造商
NJSEMI
制造商全稱
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER

2N6170 技術參數

2N6123 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6111G 功能描述:TRANS PNP 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6111 功能描述:TRANS PNP 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6109G 功能描述:TRANS PNP 50V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6109 功能描述:TRANS PNP 50V 7A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6230 2N6231 2N6233 2N6234 2N6235 2N6249 2N6249T1 2N6250 2N6251 2N6251T1 2N6274 2N6275 2N6276 2N6277 2N6278 2N6279 2N6280 2N6281