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2N6442

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供應商
數量
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批號
價格
說明
操作

2N6442
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
MOT
CAN6
15+
-
原裝正品，假一罰十

2N6442
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
MOT
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N6442
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9331
MOT
CAN
12+
-
絕對公司原裝現貨

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N6442 技術參數

2N6438 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6436 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6433 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6432 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6431 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N6497 2N6497G 2N6502 2N6504G 2N6505G 2N6505TG 2N6507G 2N6507TG 2N6508G 2N6508TG 2N6509G 2N6509T 2N6509TG 2N6515 2N6515RLRM 2N6515RLRMG 2N6517 2N6517BU