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2N6823

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N6823
    2N6823

    2N6823

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N6823
    2N6823

    2N6823

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-3

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2N6823
    2N6823

    2N6823

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 50008

  • YXYBDT臺灣

  • TO-3

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
2N6823 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-3
2N6823 技術參數
  • 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA(TO-3) 標準包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6800U 功能描述:MOSFET N-CH 400V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6800 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G
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