欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > 2字母型號搜索 > 2字母第2122頁 >

2N7639-GA

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7639-GA
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
96991
GeneSiC Semiconductor
TO-257-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330

2N7639-GA PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N7639-GA PDF下載

功能描述
兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 15A 225Degree C
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N7639-GA 技術參數

2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）（158°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7635-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:47W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:4 個 P 通道 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:750mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA