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2SA1714M

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2SA1714M 技術參數

2SA1709T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1709S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1708T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1708S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:1 2SA1707T-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 3A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA17480RL 2SA1748GRL 2SA1759T100P 2SA1761,F(J 2SA1761,T6F(J 2SA1761,T6F(M 2SA17670QA 2SA1768S-AN 2SA1768T-AN 2SA1770S-AN 2SA1770T-AN 2SA1774EBTLP 2SA1774EBTLQ 2SA1774EBTLR 2SA1774EBTLS 2SA1774G 2SA1774T1 2SA1774T1G