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2SA1930,ONKQ(J

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  • 2SA1930,ONKQ(J
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    2SA1930,ONKQ(J

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 64339

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-220-3 Full Pack

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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  • 1
2SA1930,ONKQ(J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP 2A 180V TO220-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 停產
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 2A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 180V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 1V @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 5μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 頻率 - 躍遷
  • 200MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商器件封裝
  • TO-220NIS
  • 標準包裝
  • 1
2SA1930,ONKQ(J 技術參數
  • 2SA1930,LBS2DIAQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1930,CKQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1930(Q,M) 功能描述:TRANS PNP 180V 2A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:500 2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1931,SINFQ(J 2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A
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