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2SA1941-O(Q,T)

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  • 2SA1941-O(Q,T)
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 42

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業執照

  • 1000

  • TOSHIBA

  • 10+

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2SA1941-O(Q,T) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SA1941-O(Q,T) 技術參數
  • 2SA1931,SINFQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1931,Q(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1931,NSEIKIQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1931,NIKKIQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1931,NETQ(M 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L
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