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2SA1972

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  • 2SA1972
    2SA1972

    2SA1972

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

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  • 2SA1972
    2SA1972

    2SA1972

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

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  • 2SA1972
    2SA1972

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 40

  • TOSHIBA盒

  • TO-92L

  • 07+

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  • 全新原裝現貨

  • 2SA1972
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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 5600

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2SA1972 技術參數
  • 2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q
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