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2SAR552PFRAT100

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  • 2SAR552PFRAT100
    2SAR552PFRAT100

    2SAR552PFRAT100

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話:134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 13486

  • ROHM Semiconductor

  • SOT-89-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SAR552PFRAT100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 零件狀態
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 3A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 30V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 400mV @ 50mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 200 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 330MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SAR552PFRAT100 技術參數
  • 2SAR552P5T100 功能描述:PNP -30V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:330MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR544RTL 功能描述:TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SAR544PT100 功能描述:TRANS PNP 80V 2.5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR544PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR544P5T100 功能描述:PNP -80V -2.5A MEDIUM POWER TRAN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1 2SAR586D3TL1 2SASL 2SB06210RA 2SB0621ARA 2SB0709A0L 2SB0709AQL 2SB0709ARL 2SB0709ASL 2SB071000L 2SB07100QL 2SB07100RL 2SB07100SL 2SB0710A0L 2SB0710AQL
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