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2SB1091

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    2SB1091

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

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  • 04新

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

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    2SB1091

    2SB1091

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業執照

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  • 制造商
  • HITACHI
  • 制造商全稱
  • Hitachi Semiconductor
  • 功能描述
  • Silicon PNP Triple Diffused
2SB1091 技術參數
  • 2SB10730RL 功能描述:TRANS PNP 20V 4A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-A1 標準包裝:100 2SB10540P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SB1030ARA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SB1030A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SB1124T-TD-H 2SB1132T100P 2SB1132T100Q 2SB1132T100R 2SB1143S 2SB1143T 2SB11540Q 2SB11560P 2SB1181TLP 2SB1181TLQ 2SB1181TLR 2SB1182TLQ 2SB1182TLR 2SB1183TL 2SB1184TLP 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE
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