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2SB1145

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  • 封裝
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  • 2SB1145
    2SB1145

    2SB1145

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2SB1145
    2SB1145

    2SB1145

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 400045

  • YXYBDT臺灣

  • TO-220F

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • JMNIC
  • 制造商全稱
  • Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
  • 功能描述
  • Silicon PNP Power Transistors
2SB1145 技術參數
  • 2SB1143T 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SB1143S 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SB1132T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1132T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1132T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE 2SB1188T100P 2SB1188T100Q 2SB1188T100R 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E
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