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2SB1159

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SB1159
    2SB1159

    2SB1159

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • TO-3PFa

  • 07+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SB1159
    2SB1159

    2SB1159

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-3PF

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2SB1159-P
    2SB1159-P

    2SB1159-P

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PANASONIC

  • TO-3PF

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨

  • 2SB1159
    2SB1159

    2SB1159

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 20000

  • MAT

  • Standard

  • 2024+

  • -
  • 不怕你不買只怕你不問

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
2SB1159 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • ISC
  • 制造商全稱
  • Inchange Semiconductor Company Limited
  • 功能描述
  • Silicon PNP Power Transistors
2SB1159 技術參數
  • 2SB11560P 功能描述:TRANS PNP 80V 20A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 2A,20A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):130 @ 3A,2V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SB11540Q 功能描述:TRANS PNP 80V 10A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 3A,2V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SB1143T 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SB1143S 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SB1132T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1186AE 2SB1188T100P 2SB1188T100Q 2SB1188T100R 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E
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