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2SB1585R

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2SB1585R 技術參數
  • 2SB1580T100 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB157400L 功能描述:TRANS PNP 50V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:U-G2 標準包裝:1 2SB1570 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 12A MT200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 7mA,7A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5000 @ 7A,4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:250 2SB1565FU6E 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SB1561T100Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1648 2SB1649 2SB167900L 2SB1679G0L 2SB1689T106 2SB1690KT146 2SB1690TL 2SB169300L 2SB1694T106 2SB1695KT146 2SB1695TL 2SB1697T100 2SB1698T100 2SB169900L 2SB1705TL 2SB1706TL 2SB1707TL 2SB1708TL
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