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2SB1719

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2SB1719 技術參數

2SB1710TL 功能描述:TRANS PNP 30V 1A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB1709TL 功能描述:TRANS PNP 12V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB1708TL 功能描述:TRANS PNP 30V 3A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB1707TL 功能描述:TRANS PNP 12V 4A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB1706TL 功能描述:TRANS PNP 30V 2A TSMD3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SB315A-5SND0800M170100 2SB315A-CM1200DC-34N 2SB315A-CM800DZ-34H 2SB315A-DIM800DDM12-A000 2SB315A-FF1200R17KE3_B2 2SB315A-FF800R12KE3 2SB315A-FF800R17KF6 2SB315A-FF800R17KP4_B2 2SB315B-2MBI1200U4G-170 2SB315B-2MBI800U4G-120 2SB315B-2MBI800U4G-170 2SB315B-2MBI800VT-170E 2SB315B-5SND0800M170100 2SB315B-CM1200DC-34N 2SB315B-CM800DZ-34H 2SB315B-DIM800DDM12-A000 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 2SB315B-FF800R12KE3