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2SB225

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2SB225 技術參數

2SB1733TL 功能描述:TRANS PNP 30V 1A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SB1732TL 功能描述:TRANS PNP 12V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SB1731TL 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:370mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SB1730TL 功能描述:TRANS PNP 12V 2A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SB1722J0L 功能描述:TRANS PNP 100V 0.02A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SB315A-FF800R12KE3 2SB315A-FF800R17KF6 2SB315A-FF800R17KP4_B2 2SB315B-2MBI1200U4G-170 2SB315B-2MBI800U4G-120 2SB315B-2MBI800U4G-170 2SB315B-2MBI800VT-170E 2SB315B-5SND0800M170100 2SB315B-CM1200DC-34N 2SB315B-CM800DZ-34H 2SB315B-DIM800DDM12-A000 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 2SB315B-FF800R12KE3 2SB315B-FF800R17KF6 2SB315B-FF800R17KP4_B2 2SB772 2SB815-6-TB-E 2SB815-7-TB-E