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2SC2712GT1G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SC2712GT1G
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
ON
SOT-23
22+
-
全新原裝現貨供應

2SC2712GT1G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ON
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SC2712GT1G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66880
TOS
SOT-346
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

2SC2712GT1G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66880
TOS
SOT-346
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

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您是不是要找： 2SC2712-OTE85LF 2SC2712-Y,LF 2SC2713-BL,LF 2SC2713-GR,LF 2SC2714-O(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC27780CL 2SC2812N6-CPA-TB-E 2SC2812N6-TB-E

2SC2712GT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC2712GT1G PDF下載

功能描述
兩極晶體管 - BJT 0.15A 60V NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2SC2712GT1G 技術參數

2SC2712-GR,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2712-BL,LF 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:3,000 2SC2705-Y(TE6,F,M) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:3,000 2SC2705-O(TPE6,F) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:3,000 2SC2705-O(TE6,F,M) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:3,000 2SC2814-4-TB-E 2SC2837 2SC2839E-SPA-AC 2SC2859-GR(TE85L,F 2SC2859-O(TE85L,F) 2SC2859-Y(TE85L,F) 2SC2881-O-TP 2SC2921 2SC2922 2SC29250SA 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263