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2SC28145-TB

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2SC28145-TB 技術參數
  • 2SC2814-4-TB-E 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:320MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 100MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SC2812N6-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SC2812N6-CPA-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SC27780CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:230MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SC2714-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263 2SC3264 2SC3265-Y,LF 2SC3284 2SC3311A0A 2SC3311AQA 2SC3311ARA 2SC3311ASA 2SC33120RA 2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324GRTE85LF
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