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2SC2873-O(TE12R)

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2SC2873-O(TE12R) 技術參數

2SC2859-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2859-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2859-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC2839E-SPA-AC 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:320MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 100MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 2SC2837 功能描述:TRANS NPN 150V 10A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3V，4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263 2SC3264 2SC3265-Y,LF 2SC3284 2SC3311A0A 2SC3311AQA 2SC3311ARA 2SC3311ASA 2SC33120RA 2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324GRTE85LF 2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-Y,LF 2SC3326-A,LF 2SC3326-B,LF 2SC3328-O,T6KEHF(M