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2SC3386

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    2SC3386

    2SC3386

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • SANYO

  • TO-252

  • 18+

  • -
  • 長期供應

  • 2SC3386
    2SC3386

    2SC3386

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-251/IPAK

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2SC3386
    2SC3386

    2SC3386

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • TO-252

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SC3386
    2SC3386

    2SC3386

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 15000

  • RENESAS

  • SOT252

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 2SC3386
    2SC3386

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • N/A

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
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2SC3386 技術參數
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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