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2SC3647G-R-AB3-R

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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2SC3647G-R-AB3-R 技術參數
  • 2SC3646T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC3646T-P-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC3646S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC3646S-P-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC3624-T1B-A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SC3665-Y,T2F(J 2SC3665-Y,T2NSF(J 2SC3665-Y,T2YNSF(J 2SC3668-O,T2CLAF(J 2SC3668-Y,F2PANF(J 2SC3668-Y,T2F(J 2SC3668-Y,T2F(M 2SC3668-Y,T2WNLF(J 2SC3669-Y(T2OMI,FM 2SC3669-Y,T2PASF(M 2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC370400L 2SC370700L 2SC3743 2SC37570RL 2SC382900L 2SC3835 2SC3837KT146N
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