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2SC3647L-S-AB3-R

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2SC3647L-S-AB3-R 技術參數

2SC3646T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC3646T-P-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC3646S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC3646S-P-TD-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC3624-T1B-A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SC3665-Y,T2F(J 2SC3665-Y,T2NSF(J 2SC3665-Y,T2YNSF(J 2SC3668-O,T2CLAF(J 2SC3668-Y,F2PANF(J 2SC3668-Y,T2F(J 2SC3668-Y,T2F(M 2SC3668-Y,T2WNLF(J 2SC3669-Y(T2OMI,FM 2SC3669-Y,T2PASF(M 2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC370400L 2SC370700L 2SC3743 2SC37570RL 2SC382900L 2SC3835 2SC3837KT146N