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2SC4226-T1B R24

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2SC4226-T1B R24 技術參數
  • 2SC4226-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 7mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4226-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 7mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 2SC4215-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB ~ 5dB @ 100MHz 增益:17dB ~ 23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4215-O(TE85L,F) 功能描述:RF TRANS NPN 30V 20MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 1mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4213BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 3mA,30A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4381 2SC4382 2SC4388 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN
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