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2SC5445AS

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 9800

  • TOSHIBA

  • TO

  • 2015+

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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2SC5445AS 技術參數
  • 2SC5439(F) 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 640mA,3.2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):14 @ 1A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SC54190RA 功能描述:TRANS NPN 300V 0.07A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SC5415AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:800mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 30mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC5415AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:800mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 30mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC5414AF-AA 功能描述:TRANS NPN 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1,500 2SC5508-A 2SC5508-T2-A 2SC5509-A 2SC5509-T2-A 2SC5536A-TL-H 2SC5549,T6F(J 2SC5551AE-TD-E 2SC5551AF-TD-E 2SC555600L 2SC5566-TD-E 2SC5569-TD-E 2SC5585TL 2SC559200L 2SC5606-A 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H
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