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2SC5459(Q)

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制造商
Toshiba
功能描述
NPN 400V 3A 13 TO220NIS Cut Tape

2SC5459(Q) 技術參數

2SC5455-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 2SC5455-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 2SC5454-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5439(F) 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 640mA，3.2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 1A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SC5536A-TL-H 2SC5549,T6F(J 2SC5551AE-TD-E 2SC5551AF-TD-E 2SC555600L 2SC5566-TD-E 2SC5569-TD-E 2SC5585TL 2SC559200L 2SC5606-A 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G