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2SC5880TV2.

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2SC5880TV2. 技術參數

2SC5876T106R 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SC5876T106Q 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SC5868TLR 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC5868TLQ 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC5866TLR 功能描述:TRANS NPN 60V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC594600L 2SC5946G0L 2SC59540Q 2SC5964-S-TD-E 2SC5964-S-TD-H 2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-H 2SC59930P 2SC59930Q 2SC5994-TD-E 2SC6010(T2MITUM,FM 2SC6011 2SC6011A 2SC6017-E 2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-EX 2SC6023-TR-E 2SC6024-TL-E