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2SC5945TR-E

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2SC5945TR-E 技術參數
  • 2SC5939G0L 功能描述:TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 5mA,4V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:2.7GHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標準包裝:1 2SC593900L 功能描述:TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 5mA,4V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:2.7GHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SC5930(TPF2,F,M) 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 75mA,600mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC5930(T2MITUM,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 75mA,600mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC5916TLR 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC5994-TD-E 2SC6010(T2MITUM,FM 2SC6011 2SC6011A 2SC6017-E 2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-EX 2SC6023-TR-E 2SC6024-TL-E 2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CT-Y(TPL3) 2SC6026MFVGR,L3F 2SC603600L 2SC6036G0L 2SC6037J0L 2SC6040(TPF2,Q,M) 2SC6040,T2Q(J 2SC6042,T2HOSH1Q(J
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