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2SC6017-H-E

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2SC6017-H-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC6017-H-E 技術參數

2SC6017-E 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:950mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SC6011A 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC6011 功能描述:TRANS NPN 200V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC6010(T2MITUM,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC5994-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SC6037J0L 2SC6040(TPF2,Q,M) 2SC6040,T2Q(J 2SC6042,T2HOSH1Q(J 2SC6042,T2WNLQ(J 2SC6043 2SC6043-AE 2SC6054G0L 2SC6054J0L 2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6081 2SC6082 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H