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2SCR375P5T100R

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 2SCR375P5T100R
    2SCR375P5T100R

    2SCR375P5T100R

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

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  • 百分百正品現貨 電話010-621049...

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2SCR375P5T100R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 1.5A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 120V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 300mV @ 80mA,800mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 120 @ 200mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 200MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SCR375P5T100R 技術參數
  • 2SCR375P5T100Q 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 80mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR372PT100R 功能描述:TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SCR372PT100Q 功能描述:TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SCR372P5T100R 功能描述:NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:220MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR372P5T100Q 功能描述:NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:220MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100 2SCR533PFRAT100 2SCR533PT100 2SCR542PFRAT100 2SCR542PT100 2SCR543DTL 2SCR543RTL
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