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2SD106AI-12,2SD106AI

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2SD106AI-12,2SD106AI 技術參數
  • 2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060R-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P
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