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2SD1624S-TD-H

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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  • 操作
  • 2SD1624S-TD-H
    2SD1624S-TD-H

    2SD1624S-TD-H

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 2SD1624S-TD-H
    2SD1624S-TD-H

    2SD1624S-TD-H

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

  • -
  • 全新原裝現貨庫存!400-800-030...

  • 2SD1624S-TD-H
    2SD1624S-TD-H

    2SD1624S-TD-H

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 201321

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD1624S-TD-H 技術參數
  • 2SD1624S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1623T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1623S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1620-TD-E 功能描述:TRANS NPN 10V 3A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 60mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 3A,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1618T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SD16450R 2SD1664T100P 2SD1664T100Q 2SD1664T100R 2SD1683S 2SD1683T 2SD1685F 2SD1685G 2SD17050P 2SD17070P 2SD1733TLP 2SD1733TLQ 2SD1733TLR 2SD1757KT146Q 2SD1757KT146R 2SD1757KT146S 2SD1758TLP 2SD1758TLQ
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