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2SD1804Q-TR

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2SD1804Q-TR 技術參數
  • 2SD1803T-TL-H 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1803T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1803T-H 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1803T-E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1803S-TL-H 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1815T-H 2SD1815T-TL-E 2SD1815T-TL-H 2SD1816S-E 2SD1816S-H 2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-H 2SD1816T-E 2SD1816T-H 2SD1816T-TL-E 2SD1816T-TL-H 2SD1819A0L 2SD1819AQL 2SD1819ARL 2SD1819ASL 2SD1819G0L 2SD1819GQL 2SD1819GRL
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