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2SD1819A/ZR

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2SD1819A/ZR 技術參數
  • 2SD1816T-TL-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:1 2SD1816T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1816T-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1816T-E 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1816S-TL-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1820A0L 2SD1820ARL 2SD1820G0L 2SD1820GRL 2SD18210RL 2SD18230RL 2SD1823GRL 2SD18240RL 2SD18240SL 2SD1824GRL 2SD1824GSL 2SD1834T100 2SD1835S 2SD1835S-AA 2SD1835T 2SD1835T-AA 2SD1857ATV2P 2SD1857ATV2Q
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