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2SD1913R

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  • 2SD1913R
    2SD1913R

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Sanyo

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  • 09+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SD1913R-RA
    2SD1913R-RA

    2SD1913R-RA

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SANYO

  • TO-220

  • 09+

  • -
  • 百分百原裝正品,質量保障價格及優

  • 2SD1913R
    2SD1913R

    2SD1913R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

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  • 2SD1913R-RA
    2SD1913R-RA

    2SD1913R-RA

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • SANYO

  • 15+

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  • 2SD1913R
    2SD1913R

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

  • SANYO

  • TO220-3

  • 18+

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  • 原裝正品,歡迎訂購

  • 2SD1913R
    2SD1913R

    2SD1913R

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

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2SD1913R 技術參數
  • 2SD1898T100R 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1898T100Q 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1898T100P 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD1867TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1866TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SD1979GSL 2SD1980TL 2SD1991A0A 2SD1991ARA 2SD1992A0A 2SD1994ARA 2SD1994ASA 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E
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