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2SD1974ESTL-E

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

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    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

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2SD1974ESTL-E 技術參數
  • 2SD1963T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD1963T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD1949T106R 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD1949T106Q 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD1938FTL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):800 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q
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