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2SD2114K-BBV

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2SD2114K-BBV 技術參數
  • 2SD2098T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2098T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2097TV2R 功能描述:TRANS NPN 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD2097TV2Q 功能描述:TRANS NPN 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SD2096T114E 功能描述:TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:8MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:HRT 供應商器件封裝:HRT 標準包裝:1 2SD21360QA 2SD21360RA 2SD2137APA 2SD2138APA 2SD2138AQA 2SD21390PA 2SD2141 2SD2142KT146 2SD2143TL 2SD2144STPU 2SD2144STPV 2SD2144STPW 2SD2150T100R 2SD2150T100S 2SD2153T100U 2SD2153T100V 2SD2153T100W 2SD2167T100P
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