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2SD2662T100

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  • 封裝
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  • 2SD2662T100
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 15862

  • ROHM

  • SOT89

  • 23+

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  • 全新原裝正品現貨熱賣

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  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 1076

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  • 原廠

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  • 2SD2662T100
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百正品現貨 電話010-621049...

  • 2SD2662T100
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

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  • 2SD2662T100
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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 690

  • ROHM

  • 2011

  • -
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2SD2662T100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD2662T100 技術參數
  • 2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):180mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2657TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2657KT146 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2656T106 功能描述:TRANS NPN 30V 1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25
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