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2SD2699

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2SD2699 技術參數

2SD2696T2L 功能描述:TRANS NPN 30V 0.4A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SD2695,T6F(M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SD2695,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25 2SD315AI-33 2SD316EI-12 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323 2SE6 2SE62 2SE89 2SEPC1000MX 2SEPC1000MX+S