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2SJ650

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SJ650
    2SJ650

    2SJ650

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • ON/安森美

  • TO220F

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • 2SJ650
    2SJ650

    2SJ650

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO正品

  • TO-220F

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SJ650
    2SJ650

    2SJ650

  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

    資質:營業執照

  • 59990

  • SANYO/三洋

  • TO-220F

  • 17+

  • -
  • 100%原裝,誠信為本,等你咨詢!

  • 2SJ650
    2SJ650

    2SJ650

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2250

  • SANYO

  • TO-220F

  • 1109+PB

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共35條 
  • 1
2SJ650 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
2SJ650 技術參數
  • 2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):48 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應商器件封裝:TO-220 隔離的標片 標準包裝:1 2SJ610(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.55 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):381pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:2,000 2SJ438,Q(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標準包裝:1 2SJ438,Q(J 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標準包裝:1 2SJ438,MDKQ(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標準包裝:1 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E
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