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2SJ668(TE16L1

配單專家企業名單

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供應商
數量
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批號
價格
說明
操作

2SJ668(TE16L1,NQ)
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
TOSHIBA
原廠原裝
1701+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

2SJ668(TE16L1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
TOSHIBA
TO-252-3
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SJ668(TE16L1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
0
10315
1521+
TOSHIBA
-

2SJ668(TE16L1,NQ)
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9987
TOSHIBA
TO252
10+
-
絕對公司原裝現貨

2SJ668(TE16L1,NQ)
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
1864
TOSHIBA
2013
-
公司現貨!只做原裝!

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615

2SJ668(TE16L1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SJ668(TE16L1 技術參數

2SJ665-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262-3 標準包裝:50 2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75.5 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L