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2SK1313S

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK1313S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

2SK1313S-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
28445
Renesas Electronics Ameri
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

2SK1313S
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
HITACHI MOSFET
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2SK1313S
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
9800
T
TO
2015+
-
公司現貨!只做原裝!

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E

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制造商
RENESAS
制造商全稱
Renesas Technology Corp
功能描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1313S 技術參數

2SK122800L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1119(F) 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2SK11030QL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:300 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標準包裝:1 2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK0665G0L 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 20mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F