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2SK1336TZ

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  • 操作
  • 2SK1336TZ-E
    2SK1336TZ-E

    2SK1336TZ-E

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • RENESAS

  • TO-92

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2SK1336TZ-E
    2SK1336TZ-E

    2SK1336TZ-E

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：馬先生

    電話：19166264056

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 66889

  • RENESAS

  • TO92

  • 22+

  • -

  • 授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • 2SK1336TZ-E
    2SK1336TZ-E

    2SK1336TZ-E

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐

    電話：1916620305713760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 66889

  • RENESAS

  • TO92

  • 22+

  • -

  • 授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • 2SK1336TZ-E
    2SK1336TZ-E

    2SK1336TZ-E

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 8913

  • RENESAS

  • TO-92

  • 09+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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2SK1336TZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK1317-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 2A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:990pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK122800L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1119(F) 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK11030QL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F
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